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FQD10N20LTM
数据表

FQD10N20LTM

MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
型号
FQD10N20LTM
制造商/品牌
ON Semiconductor
系列
QFET®
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装
TO-252, (D-Pak)
功率耗散（最大）
2.5W (Ta), 51W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
200V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
7.6A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
17nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
830pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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