ON Semiconductor
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NDP6030PL
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NDP6030PL

MOSFET P-CH 30V 30A TO-220
型号
NDP6030PL
制造商/品牌
ON Semiconductor
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220
功率耗散（最大）
75W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
30A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
25 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
36nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1570pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±16V
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