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NTHD2110TT1G

NTHD2110TT1G

MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
型号
NTHD2110TT1G
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装
ChipFET™
功率耗散(最大)
1.1W (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
4.5A (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
40 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th)(最大值)@Id
850mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1072pF @ 6V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
1.8V, 4.5V
电压 (最大值)
±8V
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