MTM861280LBF
MOSFET P-CH 20V 1A WSSMINI6-F1
型号
MTM861280LBF
系列
-
零件状态
Discontinued at Digi-Key
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-SMD, Flat Leads
供应商器件封装
WSSMini6-F1
功率耗散（最大）
540mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
420 mOhm @ 500mA, 4V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
80pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2.5V, 4V
电压 (最大值)
±12V
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