QJD1210011
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
型号
QJD1210011
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Bulk
工作温度
-40°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
900W
供应商器件封装
Module
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
100A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 10mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
500nC @ 20V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
10200pF @ 800V
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