RJM0603JSC-00#13
MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
封装/箱体
20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
场效应晶体管类型
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate, 4.5V Drive
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
20A
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
43nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2600pF @ 10V
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