RQJ0303PGDQA#H6
MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
型号
RQJ0303PGDQA#H6
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装
3-MPAK
功率耗散（最大）
800mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.3A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
68 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
625pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
+10V, -20V
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