RQK0607AQDQS#H1
MOSFET N-CH
型号
RQK0607AQDQS#H1
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-243AA
供应商器件封装
UPAK
功率耗散（最大）
1.5W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2.4A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
170pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2.5V, 4.5V
电压 (最大值)
±12V
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