BSM300D12P2E001
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
型号
BSM300D12P2E001
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tray
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Chassis Mount
封装/箱体
Module
功率 - 最大
1875W
供应商器件封装
Module
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
1200V (1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
300A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
-
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 68mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
35000pF @ 10V
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