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R8005ANX

R8005ANX

MOSFET N-CH 800V 5A TO220
型号
R8005ANX
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装
TO-220FM
功率耗散(最大)
40W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
800V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
5A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
2.08 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
5V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
485pF @ 25V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
10V
电压 (最大值)
±30V
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