RW1C020UNT2R
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
型号
RW1C020UNT2R
制造商/品牌
零件状态
Discontinued at Digi-Key
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-563, SOT-666
供应商器件封装
6-WEMT
功率耗散（最大）
400mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
180pF @ 10V
电压 (最大值)
±10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
1.5V, 4.5V
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