US6M11TR
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
型号
US6M11TR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
功率 - 最大
1W
供应商器件封装
UMT6
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V, 12V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
1.5A, 1.3A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
110pF @ 10V
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