STH310N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
型号
STH310N10F7-6
制造商/品牌
系列
DeepGATE™, STripFET™ VII
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
供应商器件封装
H2PAK-6
功率耗散（最大）
315W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
100V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
180A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
2.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3.8V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
180nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
12800pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
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