STI11NM60ND
MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
型号
STI11NM60ND
制造商/品牌
系列
FDmesh™ II
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件封装
I2PAK
功率耗散（最大）
90W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
450 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
850pF @ 50V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±25V
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