购买 STMicroelectronics STN1N20 MOSFET N-CH 200V 1A SOT223 - 天凌箭

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STN1N20

数据表

STN1N20

MOSFET N-CH 200V 1A SOT223

型号

STN1N20

制造商/品牌

STMicroelectronics

系列

MESH OVERLAY™

零件状态

Obsolete

包装

Digi-Reel®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223

功率耗散（最大）

2.9W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

200V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

1A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

1.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

5V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

15.7nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

206pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±20V

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