TSM015NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN
型号
TSM015NA03CR RLG
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-PDFN (5x6)
功率耗散（最大）
104W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
205A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
4243pF @ 15V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 26957 PCS
联系信息
相关产品
关键词 TSM015NA03CR RLG
TSM015NA03CR RLG 电子元件
TSM015NA03CR RLG 销售
TSM015NA03CR RLG 供应商
TSM015NA03CR RLG 分销商
TSM015NA03CR RLG 数据表
TSM015NA03CR RLG 图片
TSM015NA03CR RLG 报价
TSM015NA03CR RLG 提供
TSM015NA03CR RLG 最低价格
TSM015NA03CR RLG 搜索
TSM015NA03CR RLG 购买
TSM015NA03CR RLG 芯片
×
![]()