TSM089N08LCR RLG
MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
型号
TSM089N08LCR RLG
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-PDFN (5x6)
功率耗散（最大）
83W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
80V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
67A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
8.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
90nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6119pF @ 40V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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