TSM200N03DPQ33 RGG
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
型号
TSM200N03DPQ33 RGG
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-PowerWDFN
功率 - 最大
20W
供应商器件封装
8-PDFN (3x3)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
20A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
345pF @ 25V
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