TSM2NB65CH X0G
MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
型号
TSM2NB65CH X0G
系列
-
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-251-3 Stub Leads, IPak
供应商器件封装
TO-251 (IPAK)
功率耗散（最大）
65W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
5 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
390pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±20V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 37274 PCS
联系信息
相关产品
关键词 TSM2NB65CH X0G
TSM2NB65CH X0G 电子元件
TSM2NB65CH X0G 销售
TSM2NB65CH X0G 供应商
TSM2NB65CH X0G 分销商
TSM2NB65CH X0G 数据表
TSM2NB65CH X0G 图片
TSM2NB65CH X0G 报价
TSM2NB65CH X0G 提供
TSM2NB65CH X0G 最低价格
TSM2NB65CH X0G 搜索
TSM2NB65CH X0G 购买
TSM2NB65CH X0G 芯片
×
![]()