TPS1101D
MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
型号
TPS1101D
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装
8-SOIC
功率耗散（最大）
791mW (Ta)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
15V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2.3A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
90 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
11.25nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2.7V, 10V
电压 (最大值)
+2V, -15V
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