TK040N65Z,S1F
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
型号
TK040N65Z,S1F
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
150°C
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247
功率耗散（最大）
360W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
57A (Ta)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
40 mOhm @ 28.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 2.85mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
6250pF @ 300V
电压 (最大值)
±30V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
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