TP65H050WS
MOSFET N-CH 650V 34A TO247-3
型号
TP65H050WS
制造商/品牌
零件状态
Active
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
功率耗散（最大）
119W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
650V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
34A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
60 mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.8V @ 700µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
24nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1000pF @ 400V
电压 (最大值)
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
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