TPD3215M
CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE
型号
TPD3215M
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Last Time Buy
包装
Bulk
工作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
Module
功率 - 最大
470W
供应商器件封装
Module
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
70A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
34 mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th)（最大值）@Id
-
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
28nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2260pF @ 100V
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