购买 Vishay Siliconix IRFD010PBF MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP - 天凌箭

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IRFD010PBF

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IRFD010PBF

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP

型号

IRFD010PBF

制造商/品牌

Vishay Siliconix

系列

-

零件状态

Obsolete

包装

Tube

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

4-DIP (0.300", 7.62mm)

供应商器件封装

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

功率耗散（最大）

1W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

50V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

1.7A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

200 mOhm @ 860mA, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

4V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

13nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

250pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±20V

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