SI3552DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP
型号
SI3552DV-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
功率 - 最大
1.15W
供应商器件封装
6-TSOP
场效应晶体管类型
N and P-Channel
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
-
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
105 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA (Min)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
3.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 51483 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SI3552DV-T1-GE3
SI3552DV-T1-GE3 电子元件
SI3552DV-T1-GE3 销售
SI3552DV-T1-GE3 供应商
SI3552DV-T1-GE3 分销商
SI3552DV-T1-GE3 数据表
SI3552DV-T1-GE3 图片
SI3552DV-T1-GE3 报价
SI3552DV-T1-GE3 提供
SI3552DV-T1-GE3 最低价格
SI3552DV-T1-GE3 搜索
SI3552DV-T1-GE3 购买
SI3552DV-T1-GE3 芯片
×
![]()