SI3805DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
功率耗散(最大)
1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
场效应晶体管特性
Schottky Diode (Isolated)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
3.3A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
84 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
330pF @ 10V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
2.5V, 10V
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