SI3900DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
型号
SI3900DV-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
功率 - 最大
830mW
供应商器件封装
6-TSOP
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
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