SI4310BDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC
型号
SI4310BDY-T1-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
功率 - 最大
1.14W, 1.47W
供应商器件封装
14-SOIC
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
7.5A, 9.8A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
11 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
3V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
18nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2370pF @ 15V
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