SI5902DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
型号
SI5902DC-T1-E3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Digi-Reel®
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
8-SMD, Flat Lead
功率 - 最大
1.1W
供应商器件封装
1206-8 ChipFET™
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
2.9A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
85 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA (Min)
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
7.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
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