SI7403BDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK
型号
SI7403BDN-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
包装
Digi-Reel®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 1212-8
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
功率耗散（最大）
3.1W (Ta), 9.6W (Tc)
场效应晶体管类型
P-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
8A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
74 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
15nC @ 8V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
430pF @ 10V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
2.5V, 4.5V
电压 (最大值)
±8V
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