SI8900EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
型号
SI8900EDB-T2-E1
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
10-UFBGA, CSPBGA
功率 - 最大
1W
供应商器件封装
10-Micro Foot™ CSP (2x5)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual) Common Drain
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
5.4A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
-
Vgs(th)（最大值）@Id
1V @ 1.1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
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