SI8902AEDB-T2-E1
N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET
型号
SI8902AEDB-T2-E1
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-UFBGA
功率 - 最大
5.7W
供应商器件封装
6-Micro Foot™ (1.5x1)
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
24V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
11A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
28 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
-
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