SIHB10N40D-GE3
MOSFET N-CH 400V 10A DPAK
型号
SIHB10N40D-GE3
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装
TO-263 (D²Pak)
功率耗散（最大）
147W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
400V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
600 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
526pF @ 100V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
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