SIHJ10N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
型号
SIHJ10N60E-T1-GE3
制造商/品牌
系列
E
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® SO-8
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
功率耗散（最大）
89W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
50nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
784pF @ 100V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
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