SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
型号
SIS932EDN-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 1212-8 Dual
功率 - 最大
2.6W (Ta), 23W (Tc)
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8 Dual
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Dual)
场效应晶体管特性
Standard
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
6A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
22 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th)（最大值）@Id
1.4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1000pF @ 15V
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