SISS08DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
型号
SISS08DN-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 1212-8S
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8S
功率耗散（最大）
5W (Ta), 65.7W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
25V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.2V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
82nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
3670pF @ 12.5V
电压 (最大值)
+20V, -16V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 29233 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SISS08DN-T1-GE3
SISS08DN-T1-GE3 电子元件
SISS08DN-T1-GE3 销售
SISS08DN-T1-GE3 供应商
SISS08DN-T1-GE3 分销商
SISS08DN-T1-GE3 数据表
SISS08DN-T1-GE3 图片
SISS08DN-T1-GE3 报价
SISS08DN-T1-GE3 提供
SISS08DN-T1-GE3 最低价格
SISS08DN-T1-GE3 搜索
SISS08DN-T1-GE3 购买
SISS08DN-T1-GE3 芯片
×
![]()