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SIUD406ED-T1-GE3

SIUD406ED-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
型号
SIUD406ED-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Active
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 0806
供应商器件封装
PowerPAK® 0806
功率耗散(最大)
1.25W (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
500mA (Ta)
Vgs(th)(最大值)@Id
1.1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
17pF @ 15V
电压 (最大值)
±8V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
1.8V, 4.5V
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