SIZ904DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR
型号
SIZ904DT-T1-GE3
制造商/品牌
系列
TrenchFET®
零件状态
Discontinued at Digi-Key
包装
Cut Tape (CT)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-PowerPair™
功率 - 最大
20W, 33W
供应商器件封装
6-PowerPair™
场效应晶体管类型
2 N-Channel (Half Bridge)
场效应晶体管特性
Logic Level Gate
漏源电压 (Vdss)
30V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
12A, 16A
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
24 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
12nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
435pF @ 15V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 52108 PCS
联系信息
相关产品
关键词 SIZ904DT-T1-GE3
SIZ904DT-T1-GE3 电子元件
SIZ904DT-T1-GE3 销售
SIZ904DT-T1-GE3 供应商
SIZ904DT-T1-GE3 分销商
SIZ904DT-T1-GE3 数据表
SIZ904DT-T1-GE3 图片
SIZ904DT-T1-GE3 报价
SIZ904DT-T1-GE3 提供
SIZ904DT-T1-GE3 最低价格
SIZ904DT-T1-GE3 搜索
SIZ904DT-T1-GE3 购买
SIZ904DT-T1-GE3 芯片
×
![]()