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SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
型号
SQJQ402E-T1_GE3
制造商/品牌
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
零件状态
Active
包装
Digi-Reel®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
PowerPAK® 8 x 8 Single
供应商器件封装
PowerPAK® 8 x 8
功率耗散(最大)
150W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
40V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
200A (Tc)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(最大值)@Id
2.5V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
260nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
13500pF @ 20V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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