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CEDM7001VL TR

CEDM7001VL TR

MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883
型号
CEDM7001VL TR
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Cut Tape (CT)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
SC-101, SOT-883
供应商器件封装
SOT-883VL
功率耗散(最大)
100mW (Ta)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
20V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
100mA (Ta)
Rds On(最大值)@ Id、Vgs
3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th)(最大值)@Id
900mV @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
0.57nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
9pF @ 3V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)
1.5V, 4V
电压 (最大值)
10V
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