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CEDM7002AE TR

数据表

CEDM7002AE TR

MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883

型号

CEDM7002AE TR

制造商/品牌

Central Semiconductor Corp

系列

-

零件状态

Active

包装

Cut Tape (CT)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

SC-101, SOT-883

供应商器件封装

SOT-883L

功率耗散（最大）

100mW (Ta)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

60V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

300mA (Ta)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

1.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

2V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

50pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

2.5V, 10V

电压 (最大值)

20V

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