IRL60B216
MOSFET N-CH 60V 195A
型号
IRL60B216
制造商/品牌
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
零件状态
Active
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-220-3
供应商器件封装
TO-220AB
功率耗散（最大）
375W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
195A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.4V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
258nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
15570pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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