IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
型号
IRL60HS118
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Active
包装
Tape & Reel (TR)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
封装/箱体
6-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装
6-PQFN (2x2)
功率耗散（最大）
11.5W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
60V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
18.5A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
17 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
2.3V @ 10µA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
660pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
4.5V, 10V
电压 (最大值)
±20V
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