IXGM25N100A
POWER MOSFET TO-3
型号
IXGM25N100A
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Last Time Buy
包装
-
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-204AE
功率 - 最大
200W
供应商器件封装
TO-204AE
反向恢复时间 (trr)
200ns
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
1000V
IGBT类型
-
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
4V @ 15V, 25A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100A
转换能源
5mJ (off)
栅极电荷
180nC
Td（开/关）@25°C
100ns/500ns
测试条件
800V, 25A, 33 Ohm, 15V
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