图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
产品详情请参阅规格.
IXGM30N60
POWER MOSFET TO-3
型号
IXGM30N60
制造商/品牌
系列
-
零件状态
Last Time Buy
包装
-
输入类型
Standard
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-204AE
功率 - 最大
200W
供应商器件封装
TO-204AE
反向恢复时间 (trr)
200ns
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
50A
电压 - 集电极发射极击穿电压（最大值）
600V
IGBT类型
-
Vce(on)（最大值）@Vge，Ic
2.5V @ 15V, 30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
100A
转换能源
-
栅极电荷
180nC
Td（开/关）@25°C
100ns/500ns
测试条件
-
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 30490 PCS
联系信息
相关产品
关键词 IXGM30N60
IXGM30N60 电子元件
IXGM30N60 销售
IXGM30N60 供应商
IXGM30N60 分销商
IXGM30N60 数据表
IXGM30N60 图片
IXGM30N60 报价
IXGM30N60 提供
IXGM30N60 最低价格
IXGM30N60 搜索
IXGM30N60 购买
IXGM30N60 芯片
×
![]()