APT1001R1BN
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
型号
APT1001R1BN
制造商/品牌
系列
POWER MOS IV®
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD
功率耗散（最大）
310W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
10.5A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
130nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
2950pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
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