图片可能具有代表性。
产品详情请参阅规格.
产品详情请参阅规格.
APT1002RBNG
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD
型号
APT1002RBNG
制造商/品牌
系列
POWER MOS IV®
零件状态
Obsolete
包装
Tube
技术
MOSFET (Metal Oxide)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
封装/箱体
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247AD
功率耗散（最大）
240W (Tc)
场效应晶体管类型
N-Channel
场效应晶体管特性
-
漏源电压 (Vdss)
1000V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C
8A (Tc)
Rds On（最大值）@ Id、Vgs
1.6 Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th)（最大值）@Id
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs
105nC @ 10V
输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds
1800pF @ 25V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）
10V
电压 (最大值)
±30V
请求报价
请填写所有必填字段并点击“提交”，我们将在12小时内通过电子邮件与您联系。如果您有任何问题，请留言或发送电子邮件至 1943626632@qq.com，我们将尽快回复。
有货 16625 PCS
联系信息
相关产品
关键词 APT1002RBNG
APT1002RBNG 电子元件
APT1002RBNG 销售
APT1002RBNG 供应商
APT1002RBNG 分销商
APT1002RBNG 数据表
APT1002RBNG 图片
APT1002RBNG 报价
APT1002RBNG 提供
APT1002RBNG 最低价格
APT1002RBNG 搜索
APT1002RBNG 购买
APT1002RBNG 芯片
×
![]()