购买 ON Semiconductor FQT13N06LTF MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 - 天凌箭

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FQT13N06LTF

数据表

FQT13N06LTF

MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223

型号

FQT13N06LTF

制造商/品牌

ON Semiconductor

系列

QFET®

零件状态

Active

包装

Cut Tape (CT)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223-4

功率耗散（最大）

2.1W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

60V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

2.8A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

110 mOhm @ 1.4A, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

2.5V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

6.4nC @ 5V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

350pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

5V, 10V

电压 (最大值)

±20V

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