购买 ON Semiconductor FQT1N60CTF-WS MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 - 天凌箭

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FQT1N60CTF-WS

数据表

FQT1N60CTF-WS

MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4

型号

FQT1N60CTF-WS

制造商/品牌

ON Semiconductor

系列

QFET®

零件状态

Active

包装

Cut Tape (CT)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

工作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

封装/箱体

TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装

SOT-223-4

功率耗散（最大）

2.1W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

600V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

200mA (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

11.5 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)（最大值）@Id

4V @ 250µA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

6.2nC @ 10V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

170pF @ 25V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

10V

电压 (最大值)

±30V

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