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SCT2120AFC

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SCT2120AFC

MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB

型号

SCT2120AFC

制造商/品牌

Rohm Semiconductor

系列

-

零件状态

Active

包装

Tube

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

工作温度

175°C (TJ)

安装类型

Through Hole

封装/箱体

TO-220-3

供应商器件封装

TO-220AB

功率耗散（最大）

165W (Tc)

场效应晶体管类型

N-Channel

场效应晶体管特性

-

漏源电压 (Vdss)

650V

电流 - 连续漏极 (Id) @ 25�C

29A (Tc)

Rds On（最大值）@ Id、Vgs

156 mOhm @ 10A, 18V

Vgs(th)（最大值）@Id

4V @ 3.3mA

栅极电荷 (Qg) (最大值) @ Vgs

61nC @ 18V

输入电容 (Ciss) (最大值) @ Vds

1200pF @ 500V

驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）

18V

电压 (最大值)

+22V, -6V

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